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   本儀器采用準(zhǔn)動態(tài)法（具有技術(shù)）和四探針法分別測量樣品的 seebeck 系數(shù)和電阻率。不
僅可用于測量半導(dǎo)體塊狀樣品，康銅、鎳、鉍等金屬半金屬樣品，石墨、碳材料等非金屬樣品的
seebeck 系數(shù)和電阻率，還可測薄膜（納米）樣品的 seebeck 系數(shù)和電阻率。

*優(yōu)勢
擁有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)，獲得多項(xiàng)技術(shù)；
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動態(tài)法測量 seebeck 系數(shù)，避免了傳統(tǒng)靜態(tài)測量法在溫差測量方面的系統(tǒng)誤差，測量更準(zhǔn)確；
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seebeck 系數(shù)和電阻率測量不共用電壓探針，避免出現(xiàn)微型熱電偶斷裂失效的問題；
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采用雙向加熱系統(tǒng)；
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自動斷電保護(hù)；
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附有薄膜附件（無需主機(jī)，直接使用），可直接測量薄膜材料常溫下的 seebeck 系數(shù)和電阻率。